Le Power Mosfet IRF8513 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant moyen, telles que la commutation de charges résistives. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,35 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0155 ohm
Courant collecteur (Id) : 8 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.