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Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8

Le Mosfet de puissance STS4NF100 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N et possède un courant de collecteur inférieur de 100 A, ce qui le rend plus adapté aux applications à courant moyen. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 100 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance TPC8125 SOIC-8

Le Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessite une tension négative pour être activé). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : -2,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
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Mosfet de puissance VNP10N07 TO-220

4,80 €
Le Power Mosfet VNP10N07 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de
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