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Mosfet de puissance IRF9910 SO-8

Le Mosfet de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé et à haute puissance, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,55 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0134 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.