Affichage des résultats 1–12 sur 27

Mosfet BUK9E06 TO-262

5,60 
Le BUK9E06 TO-262 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,06 ohm Courant collecteur (Id) : 75 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 55 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 
Le IRF2804L TO-262 Il s'agit d'un MOSFET à effet de champ à conduction de type N. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 2,5 - 3 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,1 ohm Courant collecteur (Id) : 82 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 75 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175 °C Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé, telles que la commutation de charges inductives. Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

MOSFET de puissance 2SK3069 TO-220

8,90 
Le Power Mosfet 2SK3069 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance FDS8858CZ SO-8

2,60 
Le pouvoir MOSFET SO-8 FDS8858CZ Il s'agit d'un double MOSFET, ce qui signifie qu'il possède deux canaux, un N et un P. Cela le rend adapté aux applications qui nécessitent la commutation de deux charges indépendantes. Par exemple, il peut être utilisé pour contrôler deux moteurs ou deux LED. Ses principales spécifications sont : Tension de saturation (Vth) : 1,5 V Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm Courant collecteur (Id) : 10 A Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.

MOSFET de puissance IRF1324PBF TO-220

5,80 
Le Mosfet de puissance IRF1324PBF TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3205 TO-220

2,95 
Le Power Mosfet IRF3205 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF3710Z TO-220

3,15 
Le Mosfet de puissance IRF3710Z TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

MOSFET de puissance IRF530N TO-220

2,30 
Le Power Mosfet IRF530N TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF620P TO-220

2,30 
Le Mosfet de puissance IRF620P TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF630 TO-220

3,80 
Le Power Mosfet IRF630 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de

Mosfet de puissance IRF644 TO-220

4,20 
Le Mosfet de puissance IRF644 TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de gérer

MOSFET de puissance IRF740A TO-220

5,30 
Le Mosfet de puissance IRF740A TO-220 est un transistor à effet de champ à semi-conducteur de type N capable de