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Mosfet de puissance FDS8858CZ SO-8
Le pouvoir MOSFET SO-8 FDS8858CZ Il s'agit d'un double MOSFET, ce qui signifie qu'il possède deux canaux, un N et un P. Cela le rend adapté aux applications qui nécessitent la commutation de deux charges indépendantes. Par exemple, il peut être utilisé pour contrôler deux moteurs ou deux LED. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 1,5 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm
Courant collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance IRF8513 SO-8
Le Power Mosfet IRF8513 SO-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant moyen, telles que la commutation de charges résistives. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,35 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0155 ohm
Courant collecteur (Id) : 8 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 175°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance IRF9910 SO-8
Le Mosfet de puissance IRF9910 SO-8 Il s'agit d'un transistor à effet de champ à conduction de type N. Ce MOSFET convient aux applications à courant élevé et à haute puissance, telles que la commutation de charges inductives. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : 2,55 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,0134 ohm
Courant collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 20 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
Mosfet de puissance TPC8125 SOIC-8
Le Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 est un transistor à effet de champ à conduction de type P (nécessite une tension négative pour être activé). Ce MOSFET convient aux applications basse tension, telles que l'amplification et la commutation de signaux. Ses principales spécifications sont :
Tension de saturation (Vth) : -2,5 V
Résistance à la saturation (Rds(on)): 0,02 ohm
Courant collecteur (Id) : 10 A
Tension collecteur-émetteur (Vce) : 30 V
Température maximale de fonctionnement (Tj) : 150°C
Pour plus d'informations, veuillez consulter la fiche technique du composant sur le site officiel du fabricant.
