Espectáculo 9 12 18 24

Transistor 5503DM TO-252

3,80 
El componente TO-252 5503DM es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistor 7912CD2T TO-252

2,40 
El 7912CD2T TO-252 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de 100 V 1 A en paquete TO-252. Los BJT

Transistores BTS2140-1B

4,90 
El componente BTS2140-1B es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación.

Transistores BTS2140-1B TO-252

3,90 
El componente BTS2140-1B TO-252 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistores BU124E TO-220

8,90 
El componente BU124E TO-220 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistor BUK7610 TO-252

3,80 
El componente BUK7610 TO-252 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistores F2807ZS TO-252

3,30 
El componente TO-252 F2807ZS es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistor IPB80N04S TO-252

2,70 
El componente TO-252 IPB80N04S es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación.

Transistores IPB90N04S4 TO-252

3,10 
El componente TO-252 IPB80N04S es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación.

Transistor IRFBC30AS TO-252

3,80 
El componente TO-252 IRFBC30AS es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.

Transistor ISL9V2040S3ST TO-252

8,20 
El componente ISL9V2040S3ST TO-252 Es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta potencia. El Especificaciones técnicas del transistor ISL9V2040S3ST TO-252 son los siguientes: Tipo: BJT NPN Tensión colector-emisor (VCEO): 40 V Corriente de colector (IC): 20A Ganancia de corriente base-colector (hFE): 200 Voltaje base-emisor (VBE): 0,7 V Temperatura máxima de funcionamiento: 150°C

Transistores ISL9V2540S TO-252

3,80 
El componente ISL9V2540S TO-252 es un transistor de unión bipolar (BJT) NPN de potencia, diseñado para aplicaciones de potencia.