MOSFET de potencia IRF820APBF TO-220
MOSFET de potencia IRF8513 SO-8
El Power Mosfet IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios
Corriente de colector (Id): 8 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia IRF9530 TO-220
MOSFET de potencia IRF9910 SO-8
El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia IRF9Z34N TO-220
MOSFET de potencia IRL2203N TO-220
MOSFET de potencia IRL2505PBF TO-220
MOSFET de potencia RFP70N06 TO-220
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