MOSFET de potencia FDS8858CZ SO-8
El poder FDS8858CZ MOSFET SO-8 Es un MOSFET dual, lo que significa que tiene dos canales, uno N y uno P. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutar dos cargas independientes. Por ejemplo, se puede utilizar para controlar dos motores o dos LED. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 1,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia IRF8513 SO-8
El Power Mosfet IRF8513 SO-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de corriente media, como la conmutación de cargas resistivas. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,35 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0155 ohmios
Corriente de colector (Id): 8 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia IRF9910 SO-8
El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V
Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
MOSFET de potencia TPC8125 SOIC-8
El Power Mosfet TPC8125 SOIC-8 es un transistor de efecto de campo de conducción tipo P (requiere un voltaje negativo para activarse). Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de bajo voltaje, como amplificación y conmutación de señales. Sus principales especificaciones son:
Voltaje de saturación (Vth): -2,5 V
Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios
Corriente de colector (Id): 10 A
Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios
Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C
Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.
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