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Espectáculo 9 12 18 24

MOSFET BUK9E06 TO-262

5,60 
El BUK9E06 TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2 voltios Resistencia de saturación (Rds(on)):0,06 ohmios Corriente de colector (Id): 75 A Tensión colector-emisor (Vce): 55 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 
El IRF2804L TO-262 Es un MOSFET de efecto de campo de conducción tipo N. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,5 - 3 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,1 ohmios Corriente de colector (Id): 82 A Tensión colector-emisor (Vce): 75 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 175 °C Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente, como la conmutación de cargas inductivas. Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia 2SK3069 TO-220

8,90 
El Power Mosfet 2SK3069 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia FDS8858CZ SO-8

2,60 
El poder FDS8858CZ MOSFET SO-8 Es un MOSFET dual, lo que significa que tiene dos canales, uno N y uno P. Esto lo hace adecuado para aplicaciones que requieren conmutar dos cargas independientes. Por ejemplo, se puede utilizar para controlar dos motores o dos LED. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 1,5 V Resistencia de saturación (Rds(on)):0,02 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 30 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.

MOSFET de potencia IRF1324PBF TO-220

5,80 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF1324PBF es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF3205 TO-220

2,95 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3205 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF3710Z TO-220

3,15 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF3710Z es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF530N TO-220

2,30 
El Power Mosfet IRF530N TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF620P TO-220

2,30 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF620P es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF630 TO-220

3,80 
El Power Mosfet IRF630 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de

MOSFET de potencia IRF644 TO-220

4,20 
El MOSFET de potencia IRF644 TO-220 es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de manejar

MOSFET de potencia IRF740A TO-220

5,30 
El MOSFET de potencia TO-220 IRF740A es un transistor de efecto de campo semiconductor tipo N capaz de