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MOSFET de potencia IRF9910 SO-8

El MOSFET de potencia IRF9910 SO-8 Es un transistor de efecto de campo de conducción tipo N. Este MOSFET es adecuado para aplicaciones de alta corriente y alta potencia, como la conmutación de cargas inductivas. Sus principales especificaciones son: Voltaje de saturación (Vth): 2,55 V Resistencia de saturación (Rds(on)): 0,0134 ohmios Corriente de colector (Id): 10 A Tensión colector-emisor (Vce): 20 voltios Temperatura máxima de funcionamiento (Tj): 150°C Para obtener más información, consulte la hoja de datos del componente en el sitio web oficial del fabricante.