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Power Mosfet IRF9910 SO-8

Il Power Mosfet IRF9910 SO-8 è un transistor a effetto di campo a conduzione di tipo N. Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente e potenza elevate, come la commutazione di carichi induttivi. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,55 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,0134 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 20 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.
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