MOSFET BUK9E06 TO-262

5,60 
Il BUK9E06 TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,06 ohm Corrente di collettore (Id): 75 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 55 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

MOSFET IRF2804L TO-262

6,90 
Il IRF2804L TO-262 è un MOSFET a effetto di campo a conduzione di tipo N. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 2,5 - 3 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,1 ohm Corrente di collettore (Id): 82 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 75 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 175 °C Questo MOSFET è adatto per applicazioni a corrente elevata, come la commutazione di carichi induttivi. Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Leistungs-MOSFET 2SK3069 TO-220

8,90 
Il Power Mosfet 2SK3069 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Leistungs-Mosfet FDS8858CZ SO-8

2,60 
Il Power Mosfet FDS8858CZ SO-8 è un MOSFET dual, ovvero ha due canali, uno N e uno P. Questo lo rende adatto per applicazioni che richiedono la commutazione di due carichi indipendenti. Ad esempio, può essere utilizzato per controllare due motori o due LED. Le sue specifiche principali sono: Tensione di saturazione (Vth): 1,5 V Resistenza di saturazione (Rds(on): 0,02 ohm Corrente di collettore (Id): 10 A Tensione di collettore-emettitore (Vce): 30 V Temperatura massima di esercizio (Tj): 150 °C Per ulteriori informazioni, si prega di consultare il datasheet del componente  sul sito ufficiale del produttore.

Leistungs-MOSFET IRF1324PBF TO-220

5,80 
Il Power Mosfet IRF1324PBF TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Leistungs-MOSFET IRF3205 TO-220

2,95 
Der Power Mosfet IRF530N TO-220 ist ein N-Typ-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der in der Lage ist

Leistungs-MOSFET IRF3710Z TO-220

3,15 
Il Power Mosfet IRF3710Z TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di

Leistungs-MOSFET IRF530N TO-220

2,30 
Der Power Mosfet IRF530N TO-220 ist ein N-Typ-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der in der Lage ist

Leistungs-MOSFET IRF620P TO-220

2,30 
Der Power Mosfet IRF530N TO-220 ist ein N-Typ-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der in der Lage ist

Leistungs-MOSFET IRF630 TO-220

3,80 
Der Power Mosfet IRF530N TO-220 ist ein N-Typ-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der in der Lage ist

Leistungs-MOSFET IRF644 TO-220

4,20 
Il Power Mosfet IRF644 TO-220 è un transistor a effetto di campo a semiconduttore di tipo N in grado di gestire

Leistungs-MOSFET IRF740A TO-220

5,30 
Der Power Mosfet IRF530N TO-220 ist ein N-Typ-Halbleiter-Feldeffekttransistor, der in der Lage ist